专利名称：氧化物薄膜晶体管及其制备方法专利类型：发明专利发明人：董婷,宋晶尧,付东申请号：CN201611227983.8申请日：20161227公开号：CN107346789A公开日：20171114
摘要：本发明公开了一种氧化物薄膜晶体管及其制备方法，所述氧化物薄膜晶体管包括：基板、栅极、栅绝缘层、半导体有源层、源电极、漏电极；所述栅极位于所述基板之上，所述栅绝缘层位于所述栅极之上，所述半导体有源层位于所述栅绝缘层之上，所述源电极、漏电极位于所述半导体上且通过氧化物绝缘薄膜隔开。本发明通过阳极氧化的方法氧化半导体有源层背沟道上方的金属导电薄膜层，同时制备了源电极、漏电极和钝化层，有效避免了源电极、漏电极在图形化过程中对半导体有源层造成的伤害或污染，减少了源电极、漏电极与半导体有源层之间的界面缺陷，并极大地简化了制备工序，降低了成本，适宜工业生产。
申请人：广东聚华印刷显示技术有限公司
地址：510000 广东省广州市广州中新广州知识城凤凰三路17号自编五栋388
国籍：CN
代理机构：广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人：郑彤
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