采用多晶硅栅和金属栅器件的半导体芯片

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN03127506.0 （22）申请日 2003.08.05 （71）申请人 国际商业机器公司

地址 美国纽约州

（10）申请公布号 CN1481025A （43）申请公布日 2004.03.10

（72）发明人 L·A·克莱文格;L·L·许;黄洸汉 （74）专利代理机构 中国专利代理(香港)有限公司

代理人 吴立明

（51）Int.CI

H01L27/092; H01L29/78; H01L21/8238; H01L21/28; H01L21/336;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

采用多晶硅栅和金属栅器件的半导体芯片

（57）摘要

使用单一工艺流程在单一基片上作成有金

属栅和多晶硅栅的晶体管的一种半导体结构(及其制作方法)。该方法在基片上形成栅介质层并在栅

氧化层上形成金属籽层。将金属籽层图形化以在基片上的金属栅籽区中留下金属籽材料。将基片上的多晶硅层图形化为多晶硅结构。多晶硅结构的一部分在金属栅籽区上含牺牲多晶硅结构，多晶硅结构的其余部分含多晶硅栅。多晶硅栅的图形化在所有金属栅籽区上形成牺牲栅。形成侧墙隔层以及邻近多晶硅结构的源区和漏区。保护多晶硅栅，去除牺牲多晶硅结构，并把金属栅籽区进行镀敷以形成金属栅。侧墙隔层自对准金属栅。镀敷工艺形成纯金属金属栅。所有高于对所用金属有损坏的阈值温度的热处理都在镀敷工艺之前进行。

法律状态

法律状态公告日

法律状态信息

2004-03-10 公开

2004-05-19 实质审查的生效

2007-05-30

发明专利申请公布后的驳回法律状态

公开

实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回

权利要求说明书

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说明书

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