专利名称：离子产生装置专利类型：发明专利发明人：足立義一,加藤雄二申请号：CN03136033.5申请日：20030516公开号：CN1549413A公开日：20041124
摘要：一种离子产生装置(1)，在框体(2)的内部配置有离子产生电极(7)，以及将施加负极性高电压至该离子产生电极(7)的高电压产生电路装入的高压基板(5)；又从上述离子产生电极(7)至上述离子放出口的方向上，装入产生包含该离子产生电极(7)所产生之负离子之气流W0的送风机(9)；以及配置有将气流面向离子放出口(4)沿板面而做整流的整流板(25)；该整流板(25)至少最表面部由绝缘体所构成，而且在面临离子产生电极(7)的位置上之一部藉由在送风方向上的内面贯穿形成缺口而成为带电防止用缺口部(25c)。藉此，由于装入送风机与整流板，可提高朝离子产生电极送风效率，且整流板与离子产生电极不产生电气干涉，并且防止污物附着于整流板上。
申请人：日本帕金考部件株式会社
地址：日本国爱知县名古屋市
国籍：JP
代理机构：上海智信专利代理有限公司
代理人：肖剑南
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