专利名称：反射式单级衍射光栅及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：朱效立,谢常青,刘明,牛洁斌,华一磊,施百龄申请号：CN201610266673.0申请日：20160426公开号：CN107315211A公开日：20171103
摘要：本发明提供一种反射式单级衍射光栅及其制造方法。所述反射式单级衍射光栅在基底上随机分布光栅图形，所述光栅图形为由两层材料组成的深槽结构，所述深槽结构的下层材料为硅基底，上层材料为高反射率膜层，所述深槽结构的深度和宽度之比值大于0.5。本发明能够有效抑制反射式单级衍射光栅的高级次衍射。
申请人：中国科学院微电子研究所
地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号
国籍：CN
代理机构：北京汇泽知识产权代理有限公司
代理人：张瑾
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