存储器实验

实验题目 存储器实验 一、实验目的： 掌握静态随机存储器RAM工作特性及数据的读写方法。 小组合作 是 二、实验环境： CCT-IV计算机组成原理教学实验系统一台，排线若干。

三、实验内容与步骤： 一、存储器实验 1、原理：实验所用的半导体静态存储器电路原理如下图，实验中的静态存储器由一片6116（2k×8）构成，其数据线接至数据总线，地址现有地址锁存器（74ls273）给出。地址灯AD0-AD7与地址线相连，显示地质内容。数据开关经三太门（74ls245）连至数据总线,分时给出地址和数据。 因地址寄存器为8位，接入6116的地址A7-A0，而高三位A8-A10接地，所以其实际容量为256字节。6116有三个控制线：CE(片选线)、OE（读线）、WE（写线）。当片选有效（CE=0）时，OE=0时进行操作，CE=0，WE=1时进行写操作，其写时间与脉冲宽度一致。存储器原理图如下： 2.实验步骤： （1）按图解号试验线路，检查无误后接通电源。

（2）、给存储器的00、01、02、03、04地址单元中分别写入数据11、12、13、14、15。写入地址：先将SW-B=0，LDAR=1，CE=1，WE=0/1，设置好各类数据后，按一下微动开关START即可。最后关闭AR地址寄存器的存数控制信号：LDAR=0。完成写地址操作。内容操作：SW-B=0，LDAR=0，CE=0，WE=1，输入好各项数据后，按一下微动开关START即可。最后关闭片选信号和写命令信号：CE=1，WE=0。存储器写命令操作完成。 ：（此时为写操作）

（3）、依次读出01、02、03、04、05号单元中的内容，观察上述单元中的内容是否与前面写入的一致。读内容操作：SW-B=1，LDAR=0，CE=0，WE=0。不要脉冲，即不要按微动开关START。此时地址的内容通过\"BUS UNIT\"中数据显示灯B7-B0显示出来。 ：（此时为读操作） 实验结果： 写操作： 地址 00 01 02 03 04 内容 AA 55 33 44 66

读出的数据： 地址 00000000 00000001 00000010 00000011 00000100 内容 10101010 01010101 00110011 01000100 01100110

四、实验过程与分析： 1、实验使用了一片6116静态RAM（2048×8位），但地址端A8~A10脚接地，因此实际上存储容量为256字节。存储器的数据线D7~D0接至数据总线。其中一片8位的74LS273作为地址寄存器（AR），地址寄存器的输出端接存储器6116的地址线A7~A0,所以存储单元的地址由地址存储器AR提供。 数据开关（INPUT DEVICE）用来设置地址和数据，它经过一个三态门74LS245与数据总线相连，分别给出地址和数据。 地址显示灯A D7~AD0与6116地址线相连，用来显示存储单元的地址，数据总线上的显示灯B7~B0用来显示写入存储单元的数据或从存储单元读出的数据。 2、存储器有三个控制信号：CE片选信号、OE读命令信号、WE写信号。当片选信号CE＝0时，RAM被选中，可以进行读/写操作;当CE＝1时，RAM未被选中，不能进行读/写操作。读命令信号OE在本实验中已固定接地，在此情况下，当CE＝0，WE=1时，存储器进行写操作，当CE=0,WE=0时，存储器进行读操作。 3、注意在写地址操作时先写第一个地址，然后读出第一个地址单元的内容。再写第二个地址，然后读出第二个地址单元的内容，就这样不断循环操作即可读出各地址单元的内容。

五、实验总结： 通过实验我了解了静态随机存储器RAM工作特性及数据的读写方法。读操作是从指定的存储单元读取信息的过程；写操作是将信息写入存储器指定的存储单元的过程在进行读写操作时：首先要由地址总线给出地址信号，选择要进行读写操作的存储单元，然后，做写操作时，先从数据总线输入要存储在该单元的数据，通过控制总线发出相应的写使能和写控制信号，这时，数据保存在该单元中；做读操作时，只要通过总线发出相应的读控制信号。