专利名称：硅单晶的制造方法及硅单晶的提拉装置专利类型：发明专利发明人：金原崇浩,片野智一申请号：CN201910334491.6申请日：20190424公开号：CN110408991A公开日：20191105
摘要：在使用提拉装置制造硅单晶的硅单晶的制造方法中，将在提拉中被导入到提拉装置内的气体从形成在加热器（5）的背面上的中部排气口（16A）排气，所述提拉装置具备：腔室；设置在腔室内的石英坩堝（3A）；和加热器（5），其以将石英坩堝（3A）包围的方式配置，并将石英坩堝（3A）加热。
申请人：胜高股份有限公司
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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