专利名称：制造高熔点苯氧基丙酸衍生物晶体的方法专利类型：发明专利发明人：安川真己,桑原慎治申请号：CN99805361.9申请日：19990414公开号：CN1298397A公开日：20010606
摘要：一种制造高熔点晶体的方法,其特征在于在从50℃至低熔点晶体熔点以下的温度范围内,加热低熔点晶体、或低熔点晶体和高熔点晶体的形式的乙基=(R)－2－[4－(6－氯－2－喹喔啉基氧)苯氧基]丙酸酯。
申请人：日产化学工业株式会社
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：上海专利商标事务所
代理人：白益华
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