普通晶闸管 可控硅模块 MTA110A1600V

1). 芯片与底板电气绝缘，2500V交流电压2). 全压接结构，优良的温度特性和功率循环能力3). 体积小,重量轻

典型应用

1). 交直流电机控制2). 各种整流电源3). 变频器

IT(AV)

VDRM/VRRMITSMI2t

110A600~1800V2.4 A×10329 A2S*103

主要参数

符号IT(AV)IT(RMS)VDRMVRRMIDRMIRRMITSMI2tVTOrTVTMdv/dtdi/dtIGTVGTIHVGDRth(j-c)Rth(c-h)VisoFmTstgWtSize参数通态平均电流方均根电流断态重复峰值电压反向重复峰值电压断态重复峰值电流反向重复峰值电流通态不重复浪涌电流浪涌电流平方时间积门槛电压斜率电阻通态峰值电压断态电压临界上升率通态电流临界上升率门极触发电流门极触发电压维持电流门极不触发电压热阻抗(结至壳)热阻抗(壳至散)绝缘电压安装扭矩(M5)安装扭矩(M6)贮存温度质量包装盒尺寸外形为201F210×113×42（8只装）-40160At 67%VDRM180°正弦波, 单面散热180°正弦波, 单面散热50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(MAX)250046125125VA=12V, IA=1A25ITM=330AVDM=67%VDRMITM =220A, 门极触发电流幅值IGM=1.5A,门极上升时间tr≤0.5μsVDRM&VRRM tp=10msVDSM&VRSM= VDRM&VRRM+200VVDM= VDRMVRM= VRRM10ms 正弦半波VR=0.6VRRM测试条件180°正弦半波,50Hz单面散热,Tc=85℃结温Tj(℃)12512512512512512525125125301.020600参数值最小典型最大1101731800122.40290.82.291.698001001002.51500.20.2500.15AAVmAKAA2s*103VmΩVV/μsA/μsmAVmAV℃ /W℃ /WVN·mN·m℃gmm单位普通晶闸管、可控硅模块 1 / 3

MTA110A性能曲线图

󰀖󰀕󰀑󰀙䗮󱗕󱋄󰘐⬉󰥟VTM,V󰀕󰀑󰀕󰀔󰀑󰀛󰀔󰀑󰀗󰀔󰀓󰀑󰀙󰀔󰀓󰀔󰀓󰀓䗮󱗕󱋄󰘐⬉⌕ITM,A󰀔󰀓󰀓󰀓07&󰀔󰀔󰀓Peak On-state Voltage Vs.Peak On-state Current󰀓󰀑󰀖󰀓󰀑󰀕󰀘ⶀ󱗕⛁䰏󱡫Zth,eC/W󰀓󰀑󰀕󰀓󰀑󰀕󰀘Max. junction To case Thermai Impedance Vs.TimeTJ=125eC󰀓󰀑󰀔󰀘󰀓󰀑󰀔󰀓󰀑󰀓󰀘󰀓󰀓󰀑󰀓󰀓󰀔󰀓󰀑󰀓󰀔󰀓󰀑󰀔󱯊䯈t,S󰀔󰀔󰀓Fig.1䗮󱗕ӣ󱅝⡍󱗻󱳆㒓

07&󰀔󰀔󰀓Max. Power Dissipation Vs.Mean On-state Current󰀖󰀓󰀓󱳔󰻻䗮󱗕󰡳㗫PT(AV),(max),W󰀕󰀘󰀓󰀕󰀓󰀓󰀔󰀘󰀓󰀔󰀓󰀓󰀘󰀓󰀓󰀓󰀖󰀓󰀙󰀓󰀜󰀓䗮󱗕󱑇󰴛⬉⌕IT(AV),A󰀔󰀕󰀓󰀔󰀘󰀓󰀔󰀛󰀓ㅵ󰻇⏽󱑺Tc(max),eC󰀔󰀕󰀓󰀜󰀓󰀙󰀓󰀖󰀓󰀔󰀗󰀓󰀔󰀕󰀓Fig.2 㒧㟇ㅵ󰻇ⶀ󱗕⛁䰏󱡫󱳆㒓

07&󰀔󰀔󰀓Max. case Temperature Vs.Mean On-state Current󰀓󰀔󰀛󰀓󰀓󰀔󰀛󰀓Conduction Angle󰀔󰀓󰀓󰀛󰀓󰀙󰀓󰀗󰀓󰀕󰀓󰀖󰀓󰀓󰀓󰀖󰀓󰀙󰀓󰀜󰀓Conduction Angle󰀔󰀕󰀓󰀔󰀛󰀓󰀔󰀛󰀓󰀕󰀔󰀓󰀙󰀓󰀜󰀓󰀔󰀕󰀓󰀔󰀘󰀓䗮󱗕󱑇󰴛⬉⌕IT(AV),AFig.3󱳔󰻻󰡳㗫Ϣ󱑇󰴛⬉⌕󰝇㋏󱳆㒓

07&󰀔󰀔󰀓Max. Power Dissipation Vs.Mean On-state Current󰀕󰀘󰀓360Fig.4ㅵ󰻇⏽󱑺Ϣ䗮󱗕󱑇󰴛⬉⌕󰝇㋏󱳆㒓

Max. case Temperature Vs.Mean On-state Current07&󰀔󰀔󰀓󰀔󰀗󰀓'&󰀔󰀕󰀓ㅵ󰻇⏽󱑺Tc(max),eC󰀔󰀓󰀓󰀛󰀓󰀙󰀓󰀗󰀓󰀕󰀓󰀖󰀓󰀓󰀘󰀓󰀙󰀓󰀜󰀓󰀔󰀕󰀓󰀔󰀛󰀓󰀕󰀚󰀓󰀕󰀘󰀓'&󰀖󰀓󰀓360󱳔󰻻䗮󱗕󰡳㗫PT(AV)(max),W󰀕󰀓󰀓󰀔󰀛󰀓Conduction Angle󰀕󰀚󰀓󰀔󰀕󰀓󰀜󰀓󰀙󰀓󰀖󰀓Conduction Angle󰀔󰀘󰀓󰀔󰀓󰀓󰀘󰀓󰀓󰀓󰀖󰀓󰀙󰀓󰀜󰀓󰀔󰀕󰀓󰀔󰀘󰀓󰀔󰀛󰀓䗮󱗕󱑇󰴛⬉⌕IT(AV),A󰀓󰀔󰀓󰀓󰀔󰀘󰀓󰀕󰀓󰀓䗮󱗕󱑇󰴛⬉⌕IT(AV),AFig.5 󱳔󰻻󰡳㗫Ϣ󱑇󰴛⬉⌕󰝇㋏󱳆㒓Fig.6 ㅵ󰻇⏽󱑺Ϣ䗮󱗕󱑇󰴛⬉⌕󰝇㋏󱳆㒓

Surge Current Vs.Cycles2.4󰀕󰀑󰀘353029 2.4It Vs.Time2󰀕䗮󱗕⌾⍠⬉⌕ITSM,KA⬉⌕󱑇󱮍󱯊䯈⿃I2t,103A2S󰀔󰀔󰀓󰨼⊶󱭄n,@ 50Hz󰀔󰀓󰀓25󰀔󰀑󰀘2015󰀔10󰀓󰀑󰀘51󱯊䯈t,ms10Fig.7 䗮󱗕⌾⍠⬉⌕Ϣ󰨼⊶󱭄ⱘ󰝇㋏󱳆㒓

Fig.8 I2t⡍󱗻󱳆㒓

普通晶闸管、可控硅模块 2 / 3

MTA110AGate characteristic at 25eC junction temperature󰀔󰀛󰀔󰀙󰀔󰀗䮼󱵕⬉󰥟,VGTˈV󰀔󰀕󰀔󰀓󰀛󰀙󰀗󰀕󰀓󰀓󰀗󰀛󰀔󰀕󰀔󰀙󰀕󰀓䮼󱵕⬉⌕,IGTˈA3*󰀕:PLQ󰀑PD[󰀑䮼󱵕㾺󰦥⬉󰥟,VGTˈV 3*0 󰀔󰀓󰀓:󰀋󰀔󰀓󰀓­V㛝󱆑󰀌󰀗󰀖󰀑󰀘Gate Trigger Zone at varies temperature󰀕󰀑󰀘9󰀏󰀔󰀓󰀓0$ -30eC-10eC25eC125eC󰀖󰀕󰀑󰀘󰀕󰀔󰀑󰀘󰀔󰀓󰀑󰀘󰀓󰀓󰀘󰀓󰀔󰀓󰀓󰀔󰀘󰀓󰀕󰀓󰀓䮼󱵕㾺󰦥⬉⌕,IGTˈmAFig.9 䮼󱵕󰡳⥛󱳆㒓Fig.10 䮼󱵕㾺󰦥⡍󱗻󱳆㒓

外形尺寸图

201F

乐清市柳晶整流器有限公司（编）

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