电源符号vcc、vdd、vss为什么都要双写c、d、s,这么写的
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电源符号VCC、VDD、VSS之所以采用双写c、d、s，源自1963年的IEEE标准 255-1963，即"半导体设备的字母符号"。这一规范的制定并非出于电源轨描述的需要，而是历史的产物。
VCC表示集电极处相对于地的直流电源电压，是双极电路的电源电压。VDD则是MOS电路的电源电压，这是行业的普遍共识。同样，VEE是双极电路的负电源电压（通常指地），VSS是MOS电路的负电源电压。
在CMOS电路中，VSS对于NMOS和CMOS电路均相同。在数据表中使用除VDD和VSS（或VGND）之外的其他术语，显然不合逻辑。广大客户已经习惯于使用这些术语，并对引入更多复杂概念表示不感兴趣。
对于电源，通常一轨被称为地（缩写为GND），正负电压都是相对于地而言。在数字电子产品中，负电压较少出现，地线通常是电压最低的水平。而在模拟电子技术中，如音频功率放大器，地线可能处于电压范围的中间。
在电路图和电路分析中，对电压、电流和元件的命名遵循长期惯例。例如，在分析双极结晶体管时，集电极、发射极和基极相对于地的直流电压分别可以表示为VC、VE和VB。与这些终端相关的电阻可被指定为RC、RE和RB。
在构建直流电压时，最远的电压，如果存在，通常被称为VCC、VEE和VBB。实践中，VCC和VEE分别对应于NPN电路中的正极和负极电源线。在PNP电路中，VCC为负，VEE为正。
相似的惯例应用于场效应晶体管的漏极、源极和栅极终端。在更常见的电路配置中，VD和VS由指定的VDD和VSS电源电压产生。在n沟道场效应晶体管和MOSFET中，VDD相对于VSS为正，而在p沟道场效应晶体管和MOSFET电路中则为负。
这些命名惯例是1963年IEEE标准255-1963的一部分。在分析电子真空三极管、四极管和五极管电路时，还可以看到VP、VK和VG等术语。
